校园新闻网讯 近日传来喜讯，材化学院杨为佑领导的微纳米结构与器件团队，在SiC场发射阴极材料研发上，再次取得重要进展。该团队通过对SiC纳米材料形貌的控制和优化，通过表面均匀修饰非致密Au纳米颗粒，达到了提高电子发射点、降低功函数和强化局域场强增强效应的显著效果，其开启电场降低比为经修饰的SiC纳米线降低一倍左右，实现了其开启电场的大幅度降低。此项研究将为具有综合优异电子发射性能的半导体场发射阴极材料的研发及其器件化应用，提供有益借鉴和参考。相关研究成果近期以封面论文发表在英国皇家化学学会旗下的《材料化学》。  

近年来备受关注的低维半导体纳米结构，由于其优异的电子发射性能，在显示器、X射线管、电子发射枪等真空电子领域，具有诱人的潜在应用前景。然而真正推动其工业应用，仍面临诸多挑战。其中，如何大幅度降低其开启电场，获得具有综合优异电子发射能力的场发射阴极材料，是该领域面临的主要困难和挑战之一。